SIHFR9310TR-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Основные
вес, г1.788
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Основные
вес, г1.788
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTO-252-3
серияSIH
время нарастания10 ns
время спада24 ns
pd - рассеивание мощности50 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки1.8 A
qg - заряд затвора13 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток7 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.0.91 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении11 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль