SIHFL110TR-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs SOT-223
Основные
вес, г0.3895
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs SOT-223
Основные
вес, г0.3895
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSOT-223-3
длина6.5 mm
время нарастания16 ns
время спада9.4 ns
pd - рассеивание мощности3.1 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки1.5 A
qg - заряд затвора8.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток540 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.1 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения15 ns
типичное время задержки при включении6.9 ns
Высота 1.8 мм
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль