SIHF640S-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вес, г7.152
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вес, г7.152
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокTO-263-3
длина10.67 mm
время нарастания51 ns
время спада36 ns
pd - рассеивание мощности130 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки18 A
qg - заряд затвора70 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток180 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6.7 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения45 ns
типичное время задержки при включении14 ns
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль