SIHF35N60EF-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
1 890
+
Бонус: 37.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 890
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокTO-220-3
серияEF
время нарастания85 ns
время спада61 ns
pd - рассеивание мощности39 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки32 A
qg - заряд затвора134 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток97 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.8 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
типичное время задержки выключения96 ns
типичное время задержки при включении28 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль