SIHF12N50C-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал, 500 В, 12 А (Tc), 36 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220, полный комплект
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageCut Tape (CT)
1 750
+
Бонус: 35 !
Бонусная программа
Итого: 1 750
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал, 500 В, 12 А (Tc), 36 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220, полный комплект
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageCut Tape (CT)
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220 Full Pack
base product numberSIHF12 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c12A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs48nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1375pF @ 25V
power dissipation (max)36W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs555mOhm @ 4A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль