SIHD7N60ET1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
Основные
вес, г1.438
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
610
+
Бонус: 12.2 !
Бонусная программа
Итого: 610
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
Основные
вес, г1.438
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокTO-252-3
серияE
время нарастания13 ns
время спада14 ns
pd - рассеивание мощности78 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки7 A
qg - заряд затвора20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения24 ns
типичное время задержки при включении13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль