SIHD7N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 7 А, 0.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHD7N60E-GE3
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Основные
вес, г2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Основные
вес, г2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-252-3
серияE
время нарастания13 ns
время спада14 ns
pd - рассеивание мощности78 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки7 A
qg - заряд затвора20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения24 ns
типичное время задержки при включении13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль