SIHD6N80E-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 800 В 5,4 A (Tc) 78 Вт (Tc) D-PAK для поверхностного монтажа (TO-252AA)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
710
+
Бонус: 14.2 !
Бонусная программа
Итого: 710
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 800 В 5,4 A (Tc) 78 Вт (Tc) D-PAK для поверхностного монтажа (TO-252AA)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageD-PAK (TO-252AA)
seriesE ->
base product numberSIHD6 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs44nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds827pF @ 100V
power dissipation (max)78W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs940mOhm @ 3A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль