SIHD5N50D-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Основные
вес, г0.34
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Основные
вес, г0.34
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-252-3
серияD
длина6.73 mm
время нарастания11 ns
время спада11 ns
pd - рассеивание мощности104 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки5.3 A
qg - заряд затвора10 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения14 ns
типичное время задержки при включении12 ns
Высота 2.38 мм
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль