SIHD3N50D-GE3, N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK SIHD3N50D-GE3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SIHD3N50D-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Основные
вид монтажа:
SMD/SMT
категория продукта:
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
минимальная рабочая температура:
- 55 C
подкатегория:
MOSFETs
производитель:
Vishay
серия:
D
тип продукта:
MOSFET
торговая марка:
Vishay / Siliconix
размер фабричной упаковки:
3000
упаковка:
Tube
другие названия товара №:
SIHD3N50D-BE3
упаковка / блок:
TO-252-3
время нарастания:
9 ns
время спада:
13 ns
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:
69 W
количество каналов:
1 Channel
технология:
Si
конфигурация:
Single
id - непрерывный ток утечки:
3 A
qg - заряд затвора:
6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:
3.2 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток:
500 V
vgs - напряжение затвор-исток:
- 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
5 V
канальный режим:
Enhancement
полярность транзистора:
N-Channel
тип транзистора:
1 N-Channel
типичное время задержки выключения:
11 ns
типичное время задержки при включении:
12 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26