МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology

Подробное описание

Основные
вес, г	20
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

550 ₽

– +

Бонус: 11 !

Бонусная программа

Итого: 550 ₽

Купить

МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology

Основные
вес, г	20
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	TO-252-3
серия	EF
время нарастания	32 ns
время спада	7 ns
pd - рассеивание мощности	156 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	19 A
qg - заряд затвора	21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	201 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	6.5 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	24 ns
типичное время задержки при включении	17 ns

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SIHD186N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.175 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mou