SIHD186N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.175 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mou

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHD186N60EF-GE3
МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology
Основные
вес, г20
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
550
+
Бонус: 11 !
Бонусная программа
Итого: 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology
Основные
вес, г20
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокTO-252-3
серияEF
время нарастания32 ns
время спада7 ns
pd - рассеивание мощности156 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки19 A
qg - заряд затвора21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток201 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6.5 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения24 ns
типичное время задержки при включении17 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль