SIHB35N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 32 А, 0.084 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mou

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHB35N60EF-GE3
N-Channel 600V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount DВІPAK (TO-263)
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 380
+
Бонус: 27.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-Channel 600V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount DВІPAK (TO-263)
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageDВІPAK (TO-263)
seriesEF ->
base product numberSIHB35 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c32A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs134nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2568pF @ 100V
power dissipation (max)250W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs97mOhm @ 17A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль