SIHB21N60EF-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263AB (DВІPAK)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
1 390
+
Бонус: 27.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263AB (DВІPAK)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-263AB (DВІPAK)
base product numberSIHB21 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c21A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs84nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2030pF @ 100V
power dissipation (max)227W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs176mOhm @ 11A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль