SIHB11N80E-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
1 170
+
Бонус: 23.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокD2PAK-3
серияE
время нарастания15 ns
время спада18 ns
pd - рассеивание мощности179 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки12 A
qg - заряд затвора88 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток440 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.5 S
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения55 ns
типичное время задержки при включении18 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль