Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220;w/diode

Подробное описание

Основные
вес, г	3.368
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

1 040 ₽

– +

Бонус: 20.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 040 ₽

Купить

Основные
вес, г	3.368
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	EF
время нарастания	21 ns
время спада	25 ns
pd - рассеивание мощности	33 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	19 A
qg - заряд затвора	96 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	182 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	5.8 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	58 ns
типичное время задержки при включении	15 ns

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SIHA22N60EF-GE3