SIHA22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-220FP, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHA22N60EF-GE3
МОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220;w/diode
Основные
вес, г20
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
590
+
Бонус: 11.8 !
Бонусная программа
Итого: 590
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220;w/diode
Основные
вес, г20
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияEF
время нарастания21 ns
время спада25 ns
pd - рассеивание мощности33 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки19 A
qg - заряд затвора96 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток182 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5.8 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения58 ns
типичное время задержки при включении15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль