SIDR668ADP-T1-RE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
1 120
+
Бонус: 22.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 120
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность125Вт
power dissipation125Вт
напряжение истока-стока vds100В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO-DC
непрерывный ток стока104А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.004Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
drain source on state resistance0.004Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль