SIDR626LDP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 204 А, 0.0012 Ом, PowerPAK SO, Surface M

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIDR626LDP-T1-RE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
690
+
Бонус: 13.8 !
Бонусная программа
Итого: 690
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность125Вт
power dissipation125Вт
напряжение истока-стока vds60В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока204А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0012Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.5В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0012Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль