SIDR220DP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокSO-8
серияSID
время нарастания95 ns
время спада16 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности125 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки100 A
qg - заряд затвора134 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток820 uOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения47 ns
типичное время задержки при включении51 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль