SIDR170DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 95 А, 0.004 Ом, PowerPAK SO-DC, Surface Mo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIDR170DP-T1-RE3
МОП-транзистор 100V N-CH МОП-транзистор (D-S)
Основные
вес, г0.35
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
570
+
Бонус: 11.4 !
Бонусная программа
Итого: 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 100V N-CH МОП-транзистор (D-S)
Основные
вес, г0.35
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSO-8
время нарастания10 ns
время спада10 ns
pd - рассеивание мощности125 W
другие названия товара №SIDR170DP
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки95 A
qg - заряд затвора93 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения48 ns
типичное время задержки при включении18 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль