SIA907EDJT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
Основные
вес, г0.028
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
Основные
вес, г0.028
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SC70-6
серияSIA
время нарастания15 ns, 15 ns
время спада10 ns, 10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности7.8 W
другие названия товара №SIA907EDJT-GE3
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки4.5 A
qg - заряд затвора23 nC, 23 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток47 mOhms, 47 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.4 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S, 11 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора2 P-Channel
типичное время задержки выключения30 ns, 30 ns
типичное время задержки при включении13 ns, 13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль