SIA483DJ-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance21mО© @ 5A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance21mО© @ 5A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage2.2V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c12A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)19W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль