SIA449DJ-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 10.4 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SIA449DJ-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Основные
mounting type
Surface Mount
package type
SOT-363
minimum operating temperature
-55 C
width
2.15mm
pin count
6
maximum operating temperature
+150 C
series
TrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
P
transistor configuration
Single
maximum drain source voltage
30 V
maximum gate source voltage
-12 V, +12 V
maximum continuous drain current
10.4 A
transistor material
Si
maximum drain source resistance
38 mΩ
channel mode
Enhancement
minimum gate threshold voltage
0.6V
maximum power dissipation
19 W
typical gate charge @ vgs
48 nC 10 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26