SIA449DJ-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 10.4 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIA449DJ-T1-GE3
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Основные
mounting typeSurface Mount
package typeSOT-363
minimum operating temperature-55 C
width2.15mm
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Основные
mounting typeSurface Mount
package typeSOT-363
minimum operating temperature-55 C
width2.15mm
pin count6
maximum operating temperature+150 C
seriesTrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeP
transistor configurationSingle
maximum drain source voltage30 V
maximum gate source voltage-12 V, +12 V
maximum continuous drain current10.4 A
transistor materialSi
maximum drain source resistance38 mΩ
channel modeEnhancement
minimum gate threshold voltage0.6V
maximum power dissipation19 W
typical gate charge @ vgs48 nC 10 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль