Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	9
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	6вывод(-ов)

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	9
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	6вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	19Вт
power dissipation	19Вт
напряжение истока-стока vds	80В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK SC70
непрерывный ток стока	12А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.032Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.032Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SIA108DJ-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 12 А, 0.032 Ом, PowerPAK SC70, Surface Mou