SIA106DJ-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 12 А, 0.0142 Ом, PowerPAK SC70, Surface Mo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIA106DJ-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов6вывод(-ов)
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов6вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность19Вт
power dissipation19Вт
напряжение истока-стока vds60В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SC70
непрерывный ток стока12А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0142Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0142Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль