SI9933CDY-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs SO-8
Основные
вес, г0.187
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs SO-8
Основные
вес, г0.187
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура50 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSO-8
серияSI9
время нарастания50 ns
время спада13 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности3.1 W
другие названия товара №SI9933CDY-E3
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки4 A
qg - заряд затвора26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора2 P-Channel
типичное время задержки выключения29 ns
типичное время задержки при включении21 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль