Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.33
максимальная рабочая температура	150 C
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный

200 ₽

– +

Бонус: 4 !

Бонусная программа

Итого: 200 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.33
максимальная рабочая температура	150 C
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
рассеиваемая мощность	3.1Вт
напряжение истока-стока vds	20В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	NSOIC
непрерывный ток стока	8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.015Ом
напряжение измерения rds(on)	4.5В
пороговое напряжение vgs	1.5В
rds on - drain-source resistance	18mО© @ 8.3A,4.5V
transistor polarity	2 N Channel(Double)
vds - drain-source breakdown voltage	20V
vgs - gate-source voltage	1.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	8A
power dissipation-max (ta=25в°c)	2W
монтаж транзистора	Surface Mount

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SI9926CDY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 8 А, 0.015 Ом, NSOIC, Surface Mount