SI9435BDY-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
Основные
вес, г0.187
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
Основные
вес, г0.187
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокSO-8
серияSI9
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности2.5 W
другие названия товара №SI9435BDY-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки5.7 A
qg - заряд затвора24 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток42 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораP-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль