Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETSI9407BDY-T1-GE3 является P-канальным TrenchFET® силовым МОП-транзистором -60В. Силовой МОП-транзистор LITTLE FOOT® поверхностного монтажа использует интегрированную схему и корпус слабых сигналов, которые были изменены для обеспечения возможностей теплопередачи, требуемых силовыми устройствами. • Без галогена в соответствии с IEC 61249-2-21• 100% тестирование Rg• 100% тестирование UIS

Подробное описание

Основные
вес, г	0.51
package / case	SO-8
максимальная рабочая температура	150 C
minimum operating temperature	-55 C

Все характеристики

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETSI9407BDY-T1-GE3 является P-канальным TrenchFET® силовым МОП-транзистором -60В. Силовой МОП-транзистор LITTLE FOOT® поверхностного монтажа использует интегрированную схему и корпус слабых сигналов, которые были изменены для обеспечения возможностей теплопередачи, требуемых силовыми устройствами.
• Без галогена в соответствии с IEC 61249-2-21• 100% тестирование Rg• 100% тестирование UIS

Основные
вес, г	0.51
package / case	SO-8
максимальная рабочая температура	150 C
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	2500
manufacturer	Vishay
maximum operating temperature	+150 C
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	SI9
subcategory	MOSFETs
количество выводов	8вывод(-ов)
configuration	Single
fall time	30 ns
rise time	70 ns
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
number of channels	1 Channel
Вес и габариты
tradename	TrenchFET
channel type	P Channel
part # aliases	SI9407BDY-GE3
technology	Si
pd - power dissipation	5 W
рассеиваемая мощность	5Вт
power dissipation	5Вт
напряжение истока-стока vds	60В
полярность транзистора	P Канал
стиль корпуса транзистора	SOIC
непрерывный ток стока	4.7А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.1Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	3В
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	120 mOhms
transistor polarity	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	60 V
vgs - gate-source voltage	10 V
id - continuous drain current	4.7 A
typical turn-on delay time	10 ns, 30 ns
typical turn-off delay time	35 ns, 40 ns
forward transconductance - min	8.5 nS
qg - gate charge	14.5 nC
transistor type	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	1 V
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.1Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки