SI8824EDB-T2-E1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Основные
вес, г0.0607
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Основные
вес, г0.0607
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокMicroFoot-4
серияSI8
длина1.6 mm
время нарастания20 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности900 mW
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки2.9 A
qg - заряд затвора6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток60 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток5 V, + 5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток350 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения17 ns
типичное время задержки при включении5 ns
Высота 0.65 мм
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль