SI8819EDB-T2-E1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case4-XFBGA
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокMicroFoot-4
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
supplier device package4-MICRO FOOTВ® (0.8x0.8)
длина1.6 mm
base product numberSI8819 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.9A (Ta)
drain to source voltage (vdss)12V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.5V, 3.7V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs17nC @ 8V
input capacitance (ciss) (max) @ vds650pF @ 6V
power dissipation (max)900mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs80mOhm @ 1.5A, 3.7V
vgs (max)В±8V
vgs(th) (max) @ id900mV @ 250ВµA
Высота 0.65 мм
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль