SI8816EDB-T2-E1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance109mО© @ 1A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance109mО© @ 1A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage1.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c1.5A
power dissipation-max (ta=25в°c)500mW
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль