SI7980DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 8.8A/11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI7980DP-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 20V 8.8A/11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Основные
pin count
8
packaging
Tape and Reel
product category
Power MOSFET
automotive
No
eu rohs
Compliant
lead shape
No Lead
maximum operating temperature (°c)
150
mounting
Surface Mount
part status
Obsolete
pcb changed
8
ppap
No
supplier package
PowerPAK SO
eccn (us)
EAR99
maximum power dissipation (mw)
3100 Channel 1|3400 Channel 2
minimum operating temperature (°c)
-55
configuration
Dual
process technology
TrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip
2
channel type
N
channel mode
Enhancement
maximum continuous drain current (a)
8.8 Channel 1|11 Channel 2
maximum drain source resistance (mohm)
22 10V Channel 1|15 10V Channel 2
maximum drain source voltage (v)
20
maximum gate source voltage (v)
±16
typical fall time (ns)
12 Channel 1|10 Channel 2
typical gate charge @ 10v (nc)
17.5 Channel 1|22.5 Channel 2
typical input capacitance @ vds (pf)
1010 10V Channel 1|1370 10V Channel 2
typical rise time (ns)
18
typical turn-off delay time (ns)
20 Channel 1|25 Channel 2
typical turn-on delay time (ns)
15 Channel 1|18 Channel 2
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26