SI7923DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6.4 А, 0.075 Ом, PowerPAK 1212, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7923DN-T1-GE3
МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.157
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.157
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSI7
длина3.3 mm
время нарастания12 ns
время спада28 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности2.8 W
другие названия товара №SI7923DN-GE3
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки6.4 A
qg - заряд затвора21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток47 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.13 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора2 P-Channel
типичное время задержки выключения38 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Высота 1.04 мм
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль