SI7913DN-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7913DN-T1-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
| Основные | |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| серия | SI7 |
| длина | 3.3 mm |
| коммерческое обозначение | TrenchFET |
| pin count | 8 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| другие названия товара № | SI7913DN-GE3 |
| количество каналов | 2 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | compliant |
| lead shape | no lead |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | surface mount |
| part status | active |
| pcb changed | 8 |
| standard package name | PowerPAK 1212 |
| supplier package | PowerPAK 1212 |
| eccn (us) | ear99 |
| maximum power dissipation (mw) | 1300 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Dual Dual Drain |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 1.07(Max) |
| package length | 3.05 |
| package width | 3.05 |
| process technology | TrenchFET |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 2 |
| конфигурация | Dual |
| channel type | P |
| id - непрерывный ток утечки | 7.4 A |
| qg - заряд затвора | 24 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 37 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | P-Channel |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 5 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 37@4.5V |
| maximum drain source voltage (v) | 20 |
| maximum gate source voltage (v) | ±8 |
| typical fall time (ns) | 150 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 15.3@4.5V |
| typical rise time (ns) | 70 |
| typical turn-off delay time (ns) | 72 |
| typical turn-on delay time (ns) | 20 |
| military | No |
| Высота | 1.04 мм |
| Ширина | 3.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![TIP36C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W, [TO-247]](/wa-data/public/shop/products/49/91/189149/images/224861/224861.300x0.jpg "TIP36C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W, [TO-247]")
