SI7686DP-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
510
+
Бонус: 10.2 !
Бонусная программа
Итого: 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура50 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSI7
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности37.9 W
другие названия товара №SI7686DP-E3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки35 A
qg - заряд затвора26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток9.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль