SI7613DN-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.2133
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.2133
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура50 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSI7
длина3.3 mm
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности52.1 W
другие названия товара №SI7613DN-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки35 A
qg - заряд затвора87 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток14 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораP-Channel
Высота 1.04 мм
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль