SI7423DN-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
Основные
вес, г1
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
Основные
вес, г1
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:Vishay
серия:SI7
тип продукта:MOSFET
торговая марка:Vishay Semiconductors
размер фабричной упаковки:3000
другие названия товара №:SI7423DN-E3
упаковка / блок:PowerPAK-1212-8
Вес и габариты
коммерческое обозначение:TrenchFET
pd - рассеивание мощности:3.8 W
количество каналов:1 Channel
технология:Si
конфигурация:Single
id - непрерывный ток утечки:11.7 A
qg - заряд затвора:56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:30 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V
vgs - напряжение затвор-исток:- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3 V
канальный режим:Enhancement
полярность транзистора:P-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль