Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	2
максимальная рабочая температура	150 C
pin count	8
packaging	Tape and Reel

430 ₽

– +

Бонус: 8.6 !

Бонусная программа

Итого: 430 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	2
максимальная рабочая температура	150 C
pin count	8
packaging	Tape and Reel
product category	Power MOSFET
automotive	No
eu rohs	compliant
lead shape	no lead
maximum operating temperature (°c)	150
mounting	surface mount
part status	active
pcb changed	8
standard package name	PowerPAK 1212
supplier package	PowerPAK 1212
eccn (us)	ear99
maximum power dissipation (mw)	1500
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single Quad Drain Triple Source
package height	1.04
package length	3.05
package width	3.05
process technology	TrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N Channel
power dissipation	1.5Вт
полярность транзистора	N Канал
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	5.6
maximum drain source resistance (mohm)	25@10V
maximum drain source voltage (v)	60
maximum gate source voltage (v)	±20
typical fall time (ns)	12
typical gate charge @ 10v (nc)	16
typical gate charge @ vgs (nc)	16@10V
typical rise time (ns)	12
typical turn-off delay time (ns)	30
typical turn-on delay time (ns)	15
military	No
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.021Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SI7414DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 5.6 А, 0.021 Ом, 1212, Surface Mount