SI7414DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 5.6 А, 0.021 Ом, 1212, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7414DN-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
pin count8
packagingTape and Reel
430
+
Бонус: 8.6 !
Бонусная программа
Итого: 430
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeNo Lead
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed8
standard package namePowerPAK 1212
supplier packagePowerPAK 1212
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)1500
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Quad Drain Triple Source
package height1.04
package length3.05
package width3.05
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeN Channel
power dissipation1.5Вт
полярность транзистораN Канал
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)5.6
maximum drain source resistance (mohm)25@10V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)12
typical gate charge @ 10v (nc)16
typical gate charge @ vgs (nc)16@10V
typical rise time (ns)12
typical turn-off delay time (ns)30
typical turn-on delay time (ns)15
militaryNo
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.021Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль