SI7309DN-T1-E3, P-Channel MOSFET, 3.9 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7309DN-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7309DN-T1-E3
МОП-транзистор -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSI7
длина3.3 mm
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности19.8 W
другие названия товара №SI7309DN-E3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора22 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток146 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораP-Channel
Высота 1.04 мм
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль