SI7223DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6 А, 0.022 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7223DN-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.27
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen III
количество выводов8вывод(-ов)
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.27
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen III
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
рассеиваемая мощность23Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораP Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK 1212
непрерывный ток стока
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.022Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.5В
монтаж транзистораSurface Mount
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль