Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.27
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen III
количество выводов	8вывод(-ов)

200 ₽

- +

Бонус: 4 !

Бонусная программа

Итого: 200 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.27
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen III
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
рассеиваемая мощность	23Вт
напряжение истока-стока vds	30В
полярность транзистора	P Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	6А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.022Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.5В
монтаж транзистора	Surface Mount

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SI7223DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6 А, 0.022 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount