Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.27
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	8вывод(-ов)

410 ₽

– +

Бонус: 8.2 !

Бонусная программа

Итого: 410 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.27
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	56.8Вт
power dissipation	56.8Вт
напряжение истока-стока vds	250В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	14.4А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.085Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.085Ом

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SI7190ADP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 14.4 А, 0.085 Ом, PowerPAK SO, Surface M