SI7153DN-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.1368
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.1368
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSI7
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности52 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки18 A
qg - заряд затвора93 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораP-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль