SI7145DP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: POWERPAKSO8, АБ
Основные
вес, г0.257
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance2.6mО© @ 25A,10V
transistor polarityP Channel
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: POWERPAKSO8, АБ
Основные
вес, г0.257
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance2.6mО© @ 25A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage2.3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c60A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)104W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль