SI7137DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 60 А, 0.0016 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI7137DP-T1-GE3
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Основные
вес, г
0.01
package / case
PowerPAK-SO-8
minimum operating temperature
- 55 C
factory pack quantity
3000
manufacturer
Vishay
maximum operating temperature
+ 150 C
mounting style
SMD/SMT
packaging
Cut Tape or Reel
product category
MOSFET
product type
MOSFET
series
SI7
subcategory
MOSFETs
unit weight
0.017870 oz
configuration
Single
fall time
72 ns
rise time
14 ns
number of channels
1 Channel
Вес и габариты
tradename
TrenchFET
part # aliases
SI7137DP-GE3
technology
Si
pd - power dissipation
104 W
channel mode
Enhancement
rds on - drain-source resistance
1.6 mOhms
transistor polarity
P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage
20 V
vgs - gate-source voltage
12 V
id - continuous drain current
60 A
typical turn-on delay time
20 ns
typical turn-off delay time
230 ns
forward transconductance - min
95 S
qg - gate charge
585 nC
transistor type
1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage
1.4 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26