SI7137DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 60 А, 0.0016 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7137DP-T1-GE3
Основные
вес, г0.01
package / casePowerPAK-SO-8
minimum operating temperature- 55 C
factory pack quantity3000
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г0.01
package / casePowerPAK-SO-8
minimum operating temperature- 55 C
factory pack quantity3000
manufacturerVishay
maximum operating temperature+ 150 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesSI7
subcategoryMOSFETs
unit weight0.017870 oz
configurationSingle
fall time72 ns
rise time14 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
tradenameTrenchFET
part # aliasesSI7137DP-GE3
technologySi
pd - power dissipation104 W
channel modeEnhancement
rds on - drain-source resistance1.6 mOhms
transistor polarityP-Channel
vds - drain-source breakdown voltage20 V
vgs - gate-source voltage12 V
id - continuous drain current60 A
typical turn-on delay time20 ns
typical turn-off delay time230 ns
forward transconductance - min95 S
qg - gate charge585 nC
transistor type1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage1.4 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль