SI7135DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 60 А, 0.0032 Ом, PowerPAK SO, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7135DP-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.42
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.42
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeP Channel
рассеиваемая мощность104Вт
power dissipation104Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораP Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока60А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0032Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0032Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль